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内置 MOSFET 中山锂电池保护芯片XR2130C，电子元器件

发布时间：2024-04-02 03:00:00来源：http://zs.szxunrui.cn/news1012376.html

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内置 MOSFET 锂电池保护芯片XR2130C，电子元器件

概述

XR2130C 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工作。

XR2130C 采用 SOT23-5 封装，外围只需要一个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。

应用

单节锂离子可充电电池组

单节锂聚合物可充电电池组

自动激活问题

电阻 R1 阻值 470?-2k?，电容 C1 容值0.1-1uF，接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。

如果电池要点焊，电阻 R1 须要 1K 以上，电容 C1 必须 0.1uF 以上。

特性

1 内置 48 m? MOSFET

2 SOT23-5 封装

3 内置过温保护

4 可耐 9V 充电器电压

5 两重过放电流检测保护

6 超小静态电流和休眠电流

A 静态工作电流为 1.4 uA

B 休眠电流为 0.3 uA

7 符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品

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